在上文介绍DRAM的时候，我们已经看到DRAM芯片为了节约资源，对地址进行了复用。而且，访问DRAM单元是需要一些时间的，因为电容器的放电并不是瞬时的。此外，我们还看到，DRAM需要不停地刷新。在这一节里，我们将把这些因素拼合起来，看看它们是如何决定DRAM的访问过程。

我们将主要关注在当前的科技上，不会再去讨论异步DRAM以及它的各种变体。如果对它感兴趣，可以去参考[highperfdram]及[arstechtwo]。我们也不会讨论Rambus DRAM(RDRAM)，虽然它并不过时，但在系统内存领域应用不广。我们将主要介绍同步DRAM(SDRAM)及其后继者双倍速DRAM(DDR)。

同步DRAM，顾名思义，是参照一个时间源工作的。由内存控制器提供一个时钟，时钟的频率决定了前端总线(FSB)的速度。FSB是内存控制器提供给DRAM芯片的接口。在我写作本文的时候，FSB已经达到800MHz、1066MHz，甚至1333MHz，并且下一代的1600MHz也已经宣布。但这并不表示时钟频率有这么高。实际上，目前的总线都是双倍或四倍传输的，每个周期传输2次或4次数据。报的越高，卖的越好，所以这些厂商们喜欢把四倍传输的200MHz总线宣传为“有效的”800MHz总线。

以今天的SDRAM为例，每次数据传输包含64位，即8字节。所以FSB的传输速率应该是有效总线频率乘于8字节(对于4倍传输200MHz总线而言，传输速率为6.4GB/s)。听起来很高，但要知道这只是峰值速率，实际上无法达到的最高速率。我们将会看到，与RAM模块交流的协议有大量时间是处于非工作状态，不进行数据传输。我们必须对这些非工作时间有所了解，并尽量缩短它们，才能获得最佳的性能。